具有自主知識產(chǎn)權(quán)的EUV光刻膠的成功研發(fā),填補了我國在超高精細光刻膠研發(fā)領(lǐng)域的空白,將為擺脫國內(nèi)高檔光刻膠材料完全依賴進口的格局,促進我國集成電路制造產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展起到積極的促進作用。在此工作的基礎(chǔ)上,以獲得的光刻膠主體材料為核心,通過配方和工藝研發(fā),實現(xiàn)了193nm曝光機光刻,為我國開展193nm和193nm浸沒式光刻膠的研發(fā)打下了基礎(chǔ)。
具有自主知識產(chǎn)權(quán)的EUV光刻膠的成功研發(fā),填補了我國在超高精細光刻膠研發(fā)領(lǐng)域的空白,將為擺脫國內(nèi)高檔光刻膠材料完全依賴進口的格局,促進我國集成電路制造產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展起到積極的促進作用。在此工作的基礎(chǔ)上,以獲得的光刻膠主體材料為核心,通過配方和工藝研發(fā),實現(xiàn)了193nm曝光機光刻,為我國開展193nm和193nm浸沒式光刻膠的研發(fā)打下了基礎(chǔ)。